| 发明名称 | 用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，包括以下步骤：1)在蓝宝石晶片上生长非掺杂氮化镓；2)将蓝宝石晶片放入酸性溶液，之后取出用去离子水清洗甩干；3)将步骤2)清洗甩干后的蓝宝石晶片再进行生长；4)将GaN基键合在硅基板上，利用高温晶格失配应力剥离蓝宝石基片。本发明一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，使用酸性溶液，可解决螺型位错和混合位错。 | ||
| 申请公布号 | CN103887379B | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201410123683.X | 申请日期 | 2014.03.28 |
| 申请人 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 发明人 | 胡丹;缪炳有;张汝京;黄宏嘉 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 倪金荣 |
| 主权项 | 用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1)在蓝宝石晶片上生长非掺杂氮化镓；2)将蓝宝石晶片放入酸性溶液，之后取出用去离子水清洗甩干；3)将步骤2)清洗甩干后的蓝宝石晶片再进行生长；4)将GaN基键合在硅基板上，利用高温晶格失配应力剥离蓝宝石基片。 | ||
| 地址 | 710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号 | ||