发明名称 用于粒状多晶硅生产的反向循环流化床反应器
摘要 反向流化床反应器(FBR)通过绝热垂直分配器被分隔成为预反应加热区、反应区和脱氢区。所述脱氢区可以为独特的,或者所述加热区可用作脱氢区。多晶硅的颗粒向上循环通过加热区并且进入反应区的顶部,在这里发生硅的沉积,并且生长的颗粒缓慢沉降,直至它们再次进入预反应加热区的底部。从而使灰尘形成、壁沉积和产物硅颗粒中的氢含量最小化。
申请公布号 CN106573218A 申请公布日期 2017.04.19
申请号 CN201580036419.5 申请日期 2015.07.01
申请人 GTAT公司 发明人 W·L·钦;F·S·法伦布鲁克;S·D·斯肯尼尔;L·E·莫兰;J·C·伽姆
分类号 B01J8/24(2006.01)I;B01J8/44(2006.01)I;B01J19/24(2006.01)I 主分类号 B01J8/24(2006.01)I
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人 蒲琳;严政
主权项 一种用于生产多晶硅的方法,包括:提供具有至少一个垂直分隔器的内部再循环流化床反应器,所述垂直分隔器在所述反应器内产生预反应加热区、反应区和脱氢区,所述各区域彼此颗粒连通;在所述反应器中引入多晶硅颗粒;在所述预反应加热区中引入预反应流化气体,在所述反应区中引入含有至少一种含硅试剂的反应气体和在所述脱氢区中引入脱氢气体,每一种所述气体以至少等于多晶硅颗粒的最小流化速度的速度引入;控制所述气体的速度,以引起所述多晶硅颗粒向上通过所述预反应加热区、向下通过所述反应区、并通过所述脱氢区而循环,因此:在所述预反应加热区中将所述多晶硅颗粒加热至高于反应气体的最小反应温度的反应温度;在所述反应区中在所述多晶硅颗粒上由所述反应气体沉积硅;和在所述脱氢区中将所述多晶硅颗粒加热至足以从所述多晶硅颗粒除去氢气的温度,所述循环引起所述多晶硅颗粒转化为硅产物;和从所述反应器除去所述硅产物。
地址 美国新罕布什尔州