| 发明名称 | 监控FinFET器件自发热效应的结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种监控FinFET器件自发热效应的结构，包括集成于半导体衬底上的双极结型晶体管与MOS器件；所述双极结型晶体管包括：发射极鳍阵列、基极鳍阵列以及集电极鳍阵列；所述MOS器件位于所述基极鳍阵列与集电极鳍阵列之间；检测MOS器件在打开与关闭的情况下双极结型晶体管的电特性，MOS器件打开时，由于自发热的作用，温度升高，双极结型晶体管的VBE特性会发生变化，由此可以通过VBE特性的变化检测FinFET中MOS器件自发热的强弱。 | ||
| 申请公布号 | CN206116399U | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201621163461.1 | 申请日期 | 2016.10.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种监控FinFET器件自发热效应的结构，其特征在于，包括集成于半导体衬底上的双极结型晶体管与MOS器件；所述双极结型晶体管包括：发射极鳍阵列、基极鳍阵列以及集电极鳍阵列；所述MOS器件位于所述基极鳍阵列与集电极鳍阵列之间。 | ||
| 地址 | 300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||