发明名称 |
用于电子器件的衍生自氧取代的苯并环丁烯的组合物 |
摘要 |
本发明提供了用于OLED应用中的包含BCB官能化材料的组合物。可以使用本发明的组合物形成用于电致发光器件中的空穴传输材料。特别地,本发明提供了包含聚合物或由其形成的组合物、电荷传输膜层,以及发光器件,所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元。<img file="DDA0001228500880000011.GIF" wi="1053" he="536" /> |
申请公布号 |
CN106575705A |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201580044625.0 |
申请日期 |
2015.08.19 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
发明人 |
L·P·斯宾塞;N·T·麦克杜格尔;P·特雷福纳斯三世;D·D·德沃尔 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
徐舒 |
主权项 |
一种包含聚合物电荷转移层的发光器件,其中,所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成,所述聚合物包含一个或多个衍生自结构A的聚合单元:<img file="FDA0001228500860000011.GIF" wi="766" he="318" />其中对于结构A,A选自芳香族部分或杂芳香族部分;并且R1至R3各自独立地选自以下各项:氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基;并且其中n为1至10;并且每个R4独立地选自以下各项:氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基;并且其中每个R4基团独立地与A键合;并且其中O是氧;并且其中Q选自以下各项:氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基;并且其中R1至R4中的两个或更多个可以任选地形成一个或多个环结构。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |