一种金属碳化硅接触的结构

摘要

本发明涉及一种金属碳化硅接触的结构，包括以下特征：最少由两种不同的金属碳化硅接触组成的，其中一种是金属与少缺陷碳化硅晶面的接触，另一种是金属与多缺陷碳化硅晶面的接触，电流流经接触时是有两条通道的，一条通度是通过少缺陷晶面接触，另一通道是经过多缺陷晶面接触，然后流进旁边完好晶体结构的导带，之后流进碳化硅少缺陷体内成为电流的一部份，往往这部份会成为构成电流的主要部份，因为电子是相对较很容易从金属流进多缺陷区再流进旁边少缺陷体内的，从而大大降低比接触电阻率。

主权项

一种金属碳化硅接触的结构，其特征在于，最少由两种不同的金属碳化硅接触组成的：1.一种是少缺陷碳化硅晶面接触；2.一种是多缺陷碳化硅晶面接触；3.少缺陷碳化硅晶面接触与多缺陷碳化硅晶面接触相连接。