一种MoS₂/Ag/MoS₂半导体薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开一种MoS₂/Ag/MoS₂半导体薄膜材料及其制备方法，该薄膜为层状结构，由上至下依次包括顶层MoS₂薄膜层、Ag金属层、底层MoS₂薄膜层和本征绝缘Si基片。其制备方法，主要采用直流磁控溅射技术、利用高能电子依次轰击不同靶材表面：首先使用MoS₂靶材，在Si基片表面上沉积上一层底层MoS₂薄膜层；然后使用金属Ag靶材，在底层MoS₂薄膜层上沉积上一层Ag金属层；最后使用MoS₂靶材，在Ag金属层上沉积上一层顶层MoS₂薄膜层。相对于纯MoS₂薄膜产品，本发明的MoS₂/Ag/MoS₂半导体薄膜，其电阻率降低了4个数量级以上。本发明的工艺简单、参数控制简便；成品率高、产品质量稳定性与可靠性好，且制造成本低、适于工业化生产。

主权项

一种MoS₂/Ag/MoS₂半导体薄膜材料，其特征在于，为层状结构，由上至下依次包括顶层MoS₂薄膜层、Ag金属层、底层MoS₂薄膜层和Si基片；其中：所述Si基片是本征绝缘不导电单晶材料，单面抛光，抛光面为上表面；所述MoS₂薄膜层，其纯度为99.9％；所述Ag金属层，其纯度为99.99％；所述顶层MoS₂薄膜层、Ag金属层、底层MoS₂薄膜层的厚度分别为50nm、3‑10nm和50nm。