半导体测试结构

摘要

本实用新型公开了一种半导体测试结构，包括下层金属层、上层金属层和通孔，所述下层金属层包括若干下层金属条，所述上层金属层包括两排沿第一方向排列的若干第一上层金属条和沿第二方向排列的若干第二上层金属条，所述第一上层金属条与所述第二上层金属条两两相连呈T字型结构，所述通孔分别连接所述下层金属条与所述第一上层金属条、以及连接所述下层金属条与所述第二上层金属条。因此，本实用新型的所述半导体测试结构中同时包含多种结构，能够一次性完整的测试出金属层间介质层的性能，所述半导体测试结构使得测试过程简单且高效，从而缩短了半导体集成电路的生产周期，降低了生产成本。

主权项

一种半导体测试结构，其特征在于，包括：下层金属层，所述下层金属层包括若干相互平行的下层金属条，所述下层金属层与一第一测试端和第二测试端分别电连接；上层金属层，所述上层金属层包括一两排沿第一方向排列的若干第一上层金属条和一沿第二方向排列的若干第二上层金属条，所述第一方向与第二方向相互垂直，所述第二上层金属条与所述下层金属条相互平行，所述第一上层金属条与所述第二上层金属条两两相连呈T字型结构，所述上层金属层与一第三测试端和第四测试端分别电连接；若干通孔，所述通孔连接所述下层金属条与所述第一上层金属条、以及连接所述下层金属条与所述第二上层金属条。