发明名称 用于增强红外光谱探测的石墨烯等离激元器件及制备方法
摘要 本发明提供了一种用于增强红外光谱探测的石墨烯等离激元器件,包括:自下而上依次设置的衬底、电介质层、石墨烯层、源极与漏极金属层,以及待检测物质;其中,衬底同时作为栅极,电介质层沉积在衬底上,石墨烯层覆盖于电介质层之上,源极与漏极金属层沉积在石墨烯层上,源极与漏极金属层由石墨烯导通,衬底与石墨烯层之间夹着电介质层;源极与漏极金属层之间的石墨烯层的局部区域具有周期性微纳米结构;周期性微纳米结构包含多个连续纵剖面为台阶状的结构,待测材料层设置以覆盖台阶状的结构;电介质层的材料选自:NaCl,KBr,CsI,CsBr,MgF<sub>2</sub>,CaF<sub>2</sub>,BaF<sub>2</sub>,LiF,AgBr,AgCl,ZnS,ZnSe,KRS‑5,AMTIR1‑6,Diamond,SiO<sub>2</sub>。
申请公布号 CN105355702B 申请公布日期 2017.04.19
申请号 CN201510792417.0 申请日期 2015.11.17
申请人 国家纳米科学中心 发明人 胡海;胡德波;白冰;刘瑞娜;杨晓霞;戴庆
分类号 H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/101(2006.01)I
代理机构 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11416 代理人 顾珊;庞立岩
主权项 一种用于增强红外光谱探测的石墨烯等离激元器件,包括:自下而上依次设置的衬底、电介质层、石墨烯层、源极与漏极金属层,以及待检测物质;其中,所述衬底同时作为栅极,所述电介质层沉积在所述衬底上,石墨烯层覆盖于电介质层之上,源极与漏极金属层沉积在石墨烯层上,源极与漏极金属层由石墨烯导通,衬底与石墨烯层之间夹着电介质层,构成类似平行板电容器结构;所述源极与漏极金属层之间的石墨烯层的局部区域具有周期性微纳米结构;所述周期性微纳米结构包含多个连续纵剖面为台阶状的结构,所述台阶状的结构的边缘在红外光激发下产生局域等离激元,所述待检测物质层设置以覆盖所述台阶状的结构,所述台阶状的结构具有直角边缘;所述电介质层的材料选自:NaCl,KBr,CsI,CsBr,MgF<sub>2</sub>,CaF<sub>2</sub>,BaF<sub>2</sub>,LiF,AgBr,AgCl,ZnS,ZnSe,KRS‑5,AMTIR1‑6,Diamond,SiO<sub>2</sub>。
地址 100190 北京市海淀区中关村北一条11号