一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法，所述宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器包括：衬底、下电接触层、第一多量子阱层、中电接触层、第二多量子阱层以及上电接触层。本发明具有以下有益效果：本发明的太赫兹量子阱光电探测器具有非常宽的响应谱，单个器件即可有效覆盖1.5~8 THz频率范围，半高宽达2.84 THz，比现有普通太赫兹量子阱光电探测器提升约89%。本发明结构和制作方法简单，效果显著，在半导体光电器件技术领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器，其特征在于，包括：衬底；下电接触层，结合于所述衬底表面；第一多量子阱层，结合于所述下电接触层表面，当其量子阱周期数N1所对应的峰值响应频率为f1，最大工作偏压为V1；中电接触层，结合于所述第一多量子阱层表面；第二多量子阱层，结合于所述中电接触层表面，当其量子阱周期数N2所对应的峰值响应频率为f2，最大工作偏压为V2；上电接触层，结合于所述第二多量子阱层表面；其中，f1<f2，且所述第一多量子阱层的实际量子阱周期数M1与所述第二多量子阱层的实际量子阱周期数M2满足：$\frac{M1}{M2}=\frac{N1\times V2}{N2\times V1};$所述下电接触层、中电接触层及上电接触层分别形成有下金属电极、中金属电极及上金属电极，且所述上金属电极及下金属电极短接为器件的第一电极，而中金属电极层为器件的第二电极。