发明名称 |
具有集成高电压器件的硅管芯 |
摘要 |
一种方法包括:在衬底上形成多个第一器件和多个第一互连件;将包括多个第二器件的第二器件层耦合到多个第一互连件中的一些第一互连件;以及在第二器件层上形成多个第二互连件。一种装置包括:第一器件层,其包括设置在多个第一互连件和多个第二互连件之间的多个第一电路器件;以及第二器件层,其包括与多个第一互连件和多个第二互连件的其中之一并置并耦合的多个第二器件;其中,多个第一器件和多个第二器件中的一个包括具有比多个第一器件和多个第二器件中的另一个更高的电压范围的器件。 |
申请公布号 |
CN106575620A |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201480078916.7 |
申请日期 |
2014.06.16 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
D·W·纳尔逊;M·C·韦伯;P·莫罗;K·俊 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
林金朝;王英 |
主权项 |
一种方法,包括:在衬底上形成多个第一器件;在所述衬底上形成多个第一互连件,其中,所述多个第一互连件中的一些第一互连件耦合到所述多个第一器件中的一些第一器件;将没有多个第二器件的第二器件层和包括多个第二器件的器件层的其中之一耦合到所述多个第一互连件中的一些第一互连件,在没有所述多个第二器件的器件层被耦合的条件下,所述方法包括:此后在所述器件层上形成多个第二器件;在所述第二器件层上形成多个第二互连件,其中,所述多个第二互连件中的一些第二互连件耦合到所述多个第二器件中的一些第二器件;以及将接触点形成到所述第一多个互连件中的一些互连件和所述第二多个互连件中的一些互连件的其中之一,所述接触点能够操作用于连接到外部源。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |