发明名称 | 一种宽频段吸波体及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明提出一种宽频段吸波体,包括介电层、电阻层和反射层,其中电阻层位于介电层表面,所述反射层位于所述宽频段吸波体的底层,介电层位于反射层上方;所述电阻层为连续层或者由周期性结构重复组成的阵列,所述周期性结构的尺寸为0.01mm‑50mm,周期性结构的形状为点、线段、三角形、四边形、多边形、圆形、椭圆中的一种或多种的组合。本发明提出的宽频段吸波体通过合理的结构设计与计算,厚度薄,吸收频段宽。 | ||
申请公布号 | CN106572622A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
申请号 | CN201610945147.7 | 申请日期 | 2016.11.02 |
申请人 | 国家纳米科学中心 | 发明人 | 李伟伟;陈明继;张忠;金灏;曾志辉 |
分类号 | H05K9/00(2006.01)I | 主分类号 | H05K9/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王文君 |
主权项 | 一种宽频段吸波体,其特征在于,包括介电层、电阻层和反射层,电阻层位于介电层表面,所述反射层位于所述宽频段吸波体的底层,介电层位于反射层上方;所述电阻层为连续层或者由周期性结构重复组成的阵列,所述周期性结构的尺寸为0.01mm‑50mm,周期性结构的形状为点、线段、三角形、四边形、多边形、圆形、椭圆中的一种或多种的组合。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条11号 |