| 发明名称 | 一种C<sub>f</sub>/SiC复合材料表面光学涂层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种C<sub>f</sub>/SiC复合材料表面光学涂层的制备方法，所述光学涂层是以SiC/Si为主相、且厚度达1mm以上的光学致密涂层，所述制备方法包括以下步骤：（a）通过流延成型工艺制备主相为C和SiC的多孔素坯膜；（b）将步骤（a）所得的多孔素坯膜置于C<sub>f</sub>/SiC复合材料表面后在真空条件下于1450℃～1650℃反应渗硅，从而在所述C<sub>f</sub>/SiC复合材料表面形成以SiC/Si为主相的陶瓷涂层。本发明首次提出了利用流延膜反应烧结工艺制备复合材料表面光学涂层的方法，所得到的SiC/Si光学涂层，可以显著提高C<sub>f</sub>/SiC复合材料表面的致密度。 | ||
| 申请公布号 | CN106565280A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201510659158.4 | 申请日期 | 2015.10.13 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 刘学建;宋盛星;朱云洲;姚秀敏;殷杰;吴西士;李晓光;黄政仁 |
| 分类号 | C04B41/87(2006.01)I | 主分类号 | C04B41/87(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种C<sub>f</sub>/SiC复合材料表面光学涂层的制备方法，其特征在于，所述光学涂层是以SiC/Si为主相、且厚度达1mm以上的光学致密涂层，所述制备方法包括以下步骤：（a）通过流延成型工艺制备主相为C和SiC的多孔素坯膜；（b）将步骤（a）所得的多孔素坯膜置于C<sub>f</sub>/SiC复合材料表面后在真空条件下于1450℃～1650℃反应渗硅，从而在所述C<sub>f</sub>/SiC复合材料表面形成以SiC/Si为主相的陶瓷涂层。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||