| 发明名称 | 集成电路中的电容器结构 | ||
| 摘要 | 在一个示例中，集成电路(IC)(100)中的一个电容器(120)包括：第一指状电容器(104a)，形成于IC至少一层(M6到M8)中，其具有第一总线(202a)和第二总线(204a)；第二指状电容器(104b)，形成于IC的所述至少一层中，其具有第一总线(202b)和第二总线(204b)，其中第二指状电容器第二总线的纵向边缘(230L)与第一指状电容器第一总线的纵向边缘(228R)相邻并通过介电间隙(118‑1)分隔；以及第一金属段(214‑1)，形成于所述至少一层上方的第一层(M9)，第一金属段电耦接到第一指状电容器的第一总线并增大第一指状电容器第一总线的宽度和高度。 | ||
| 申请公布号 | CN106575648A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201580043607.0 | 申请日期 | 2015.08.05 |
| 申请人 | 赛灵思公司 | 发明人 | J·景;S·吴 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人 | 顾云峰;吴龙瑛 |
| 主权项 | 一种集成电路(IC)中的电容器，包括：第一指状电容器，其形成于所述IC的至少一层中，具有第一总线和第二总线；第二指状电容器，其形成于所述IC的所述至少一层中，具有第一总线和第二总线，其中所述第二指状电容器的所述第二总线的纵向边缘与所述第一指状电容器的所述第一总线的纵向边缘相邻并由介电间隙隔开；以及第一金属段，其形成于所述至少一层上方的第一层上，所述第一金属段电耦接到所述第一指状电容器的所述第一总线，并且增加所述第一指状电容器的所述第一总线的宽度和高度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||