一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了属于微电子技术领域的一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器为三明治结构，由三层薄膜构成，包括底电极层、阻变功能层和顶电极层，所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti₃C₂ene薄膜，所述阻变功能层为氧化物材料。本发明还公开了抗电磁干扰的阻变存储器的制备方法。本发明选择导电、高效屏蔽电磁、廉价易得的Ti₃C₂ene薄膜作为电极材料，制备的阻变存储器具有轻量化、高强度、工艺简单多个优点，满足对于便携式、可穿戴电子器件的需求。

主权项

一种抗电磁干扰的阻变存储器，该器件为三明治结构，由三层薄膜构成，包括底电极层、阻变功能层和顶电极层，其特征在于，所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti₃C₂ene薄膜，阻变功能层为氧化物材料。