| 发明名称 | 五结太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种五结太阳能电池，包括InP衬底、以及在InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。本发明还公开了五结太阳能电池的制备方法，包括：在InP衬底上制备InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池；在GaAs衬底上制备GaInP/AlGaInP双结太阳能电池；将InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池与GaInP/AlGaInP双结太阳能电池进行晶片键合，从而得到InGaAs/InGaAsP/InAlAs/GaInP/AlGaInP五结太阳能电池。根据本发明的五结太阳能电池满足0.73eV/1.05eV/1.47eV/1.89eV/2.2eV的带隙组合，从而可实现宽光谱的吸收，获得高电压及低电流输出，有效降低了太阳能电池在高倍聚光下的电阻损失，从而提高了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106571408A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201510670555.1 | 申请日期 | 2015.10.13 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 代盼;陆书龙;谭明;吴渊渊;季莲;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 孙伟峰 |
| 主权项 | 一种五结太阳能电池，其特征在于，包括InP衬底、以及在所述InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 | ||