发明名称 固体电解电容器元件、其制造方法及导电糊
摘要 本发明提供一种不仅ESR的初始特性良好,而且热冲击引起的ESR劣化小、ESR变化偏差也得到抑制的固体电解电容器元件。该固体电解电容器元件在阳极体表面至少具备电介质层、固体电解质层、含有第一树脂成分的碳层和含有第二树脂成分的导电体层,第一树脂成分及所述第二树脂成分均具有羟基,所述碳层表面的氢键性成分值γ<sup>h</sup><sub>1</sub>[mN/m]和所述导电体层表面的氢键性成分值γ<sup>h</sup><sub>2</sub>[mN/m]之差Δγ<sup>h</sup>(=γ<sup>h</sup><sub>2</sub>‑γ<sup>h</sup><sub>1</sub>)在‑3≤Δγ<sup>h</sup>≤3[mN/m]的范围内。
申请公布号 CN104054147B 申请公布日期 2017.04.19
申请号 CN201280066615.3 申请日期 2012.11.27
申请人 昭荣化学工业株式会社 发明人 远藤隆;大野留治;赤木正美;内田友子
分类号 H01G9/04(2006.01)I 主分类号 H01G9/04(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李英
主权项 一种固体电解电容器元件,其在阳极体表面至少具备电介质层、固体电解质层、含有第一树脂成分的碳层和含有第二树脂成分的导电体层,其特征在于,第一树脂成分及所述第二树脂成分均具有羟基,通过Owens‑Wendt的方法求出的所述碳层表面的氢键性成分值γ<sup>h</sup><sub>1</sub>[mN/m]和所述导电体层表面的氢键性成分值γ<sup>h</sup><sub>2</sub>[mN/m]之差Δγ<sup>h</sup>=γ<sup>h</sup><sub>2</sub>‑γ<sup>h</sup><sub>1</sub>在‑3≤Δγ<sup>h</sup>≤3[mN/m]的范围内。
地址 日本东京都
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