发明名称 |
太阳能电池背面上的导电聚合物/Si界面 |
摘要 |
本发明涉及包含p‑型硅或n‑型硅基底(2)的太阳能电池(1),其中基底(2)包含:‑正面(2a),其表面至少部分地被至少一个钝化层(3)覆盖,和‑背面(2b),其中:‑基底(2)的背面(2b)至少部分地被具有足以容许空穴输送通过它的厚度的钝化层(4)覆盖,且‑基底(2)的背面2b)上的钝化层(4)至少部分地被导电聚合物层(5)覆盖。本发明还涉及制备太阳能电池的方法,可通过该方法得到的太阳能电池,和太阳能模块。 |
申请公布号 |
CN106575675A |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201580014088.5 |
申请日期 |
2015.03.17 |
申请人 |
太阳能研究所股份有限公司 |
发明人 |
J·施密特;D·齐尔克 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
李颖;林柏楠 |
主权项 |
包含p‑型硅或n‑型硅基底(2)的太阳能电池(1),其中基底(2)包含:‑正面(2a),其表面至少部分地被至少一个钝化层(3)覆盖,和‑背面(2b),其中:‑基底(2)的背面(2b)至少部分地被具有足以容许空穴输送通过它的厚度的钝化层(4)覆盖,且‑基底(2)的背面(2b)上的钝化层(4)至少部分地被导电聚合物层(5)覆盖。 |
地址 |
德国埃默塔尔 |