发明名称 太阳能电池背面上的导电聚合物/Si界面
摘要 本发明涉及包含p‑型硅或n‑型硅基底(2)的太阳能电池(1),其中基底(2)包含:‑正面(2a),其表面至少部分地被至少一个钝化层(3)覆盖,和‑背面(2b),其中:‑基底(2)的背面(2b)至少部分地被具有足以容许空穴输送通过它的厚度的钝化层(4)覆盖,且‑基底(2)的背面2b)上的钝化层(4)至少部分地被导电聚合物层(5)覆盖。本发明还涉及制备太阳能电池的方法,可通过该方法得到的太阳能电池,和太阳能模块。
申请公布号 CN106575675A 申请公布日期 2017.04.19
申请号 CN201580014088.5 申请日期 2015.03.17
申请人 太阳能研究所股份有限公司 发明人 J·施密特;D·齐尔克
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 李颖;林柏楠
主权项 包含p‑型硅或n‑型硅基底(2)的太阳能电池(1),其中基底(2)包含:‑正面(2a),其表面至少部分地被至少一个钝化层(3)覆盖,和‑背面(2b),其中:‑基底(2)的背面(2b)至少部分地被具有足以容许空穴输送通过它的厚度的钝化层(4)覆盖,且‑基底(2)的背面(2b)上的钝化层(4)至少部分地被导电聚合物层(5)覆盖。
地址 德国埃默塔尔