发明名称 |
氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法 |
摘要 |
本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有:第1步骤,在基板上形成氧化物半导体薄膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良;和第2步骤,在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。 |
申请公布号 |
CN106575629A |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201580035431.4 |
申请日期 |
2015.07.06 |
申请人 |
株式会社神户制钢所 |
发明人 |
川上信之;林和志;钉宫敏洋;越智元隆 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
张玉玲 |
主权项 |
一种层叠体的品质评价方法,其是氧化物半导体薄膜及在所述氧化物半导体薄膜的表面上具有保护膜的层叠体的品质评价方法,该评价方法具有:第1步骤,在基板上形成氧化物半导体薄膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由所述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良;和第2步骤,在利用基于所述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由所述氧化物半导体薄膜与所述保护膜的界面缺陷引起的不良。 |
地址 |
日本兵库县 |