发明名称 一种薄化触摸屏玻璃的生产工艺
摘要 本发明公开了一种薄化触摸屏玻璃的生产工艺,其具体步骤如下:(1)在厚度为0.05‑0.25mm的玻璃基板一面利用磁控溅射的方法镀上第一氧化铟锡ITO导电膜;再经过黄光蚀刻在第一氧化铟锡ITO导电膜表面形成配线;(2)第一氧化铟锡ITO导电膜的表面利用磁控溅射的方法成APC金属导电膜层;(3)利用旋涂法在APC金属导电膜层的表面涂抹形成第一OC绝缘保护膜层并形成图形;(4)第一OC绝缘保护膜层的表面再利用磁控溅射的方法成第二层氧化铟锡ITO导电膜;(5)利用旋涂法在第二层氧化铟锡ITO导电膜上涂抹形成第二层OC绝缘保护膜层并形成图形。本发明采用0.05‑0.25mm厚度的玻璃基板,透过率由常规厚度玻璃基板的86%提高到89%以上,同时可实现一定量的弯曲,具有可绕性。
申请公布号 CN106560458A 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201610922624.8 申请日期 2016.10.24
申请人 浙江大明玻璃有限公司 发明人 屠有军;袁发根
分类号 C03C17/38(2006.01)I;C03C17/42(2006.01)I 主分类号 C03C17/38(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种薄化触摸屏玻璃的生产工艺,其特征在于,其具体步骤如下:(1)在厚度为0.05‑0.25mm的玻璃基板一面利用磁控溅射的方法镀上第一氧化铟锡ITO导电膜;再经过黄光蚀刻在第一氧化铟锡ITO导电膜表面形成配线;(2)第一氧化铟锡ITO导电膜的表面利用磁控溅射的方法成APC金属导电膜层;再经过黄光蚀刻在APC金属导电膜层上形成配线;(3)利用旋涂法在APC金属导电膜层的表面涂抹形成第一OC绝缘保护膜层并形成图形;(4)第一OC绝缘保护膜层的表面再利用磁控溅射的方法成第二层氧化铟锡ITO导电膜;再经过黄光蚀刻在第二层氧化铟锡ITO导电膜上形成配线;(5)利用旋涂法在第二层氧化铟锡ITO导电膜上涂抹形成第二层OC绝缘保护膜层并形成图形。
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