| 发明名称 | 具有晶体绝缘体的FINFET及其形成方法 | ||
| 摘要 | 公开了鳍式场效应晶体管（FinFET）结构以及其形成方法。鳍片形成在块体衬底上。晶体绝缘体层形成在块体衬底上，其中鳍片伸出外延氧化物层。围绕鳍片形成从晶体绝缘体层突出的栅。通过在晶体绝缘体层上合并鳍片而在源漏区域形成外延生长半导体区域以形成鳍片合并区域。 | ||
| 申请公布号 | CN104112776B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201410161352.5 | 申请日期 | 2014.04.22 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 托马斯·N·亚当;程慷果;A·克哈基弗尔鲁茨;亚历山大·雷茨尼采克;R·斯瑞尼瓦萨恩 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈新 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括形成在所述半导体衬底上的多个鳍片；栅，被设置在所述多个鳍片上；晶体介电区域，被设置在半导体衬底上；以及外延半导体区域，从所述晶体介电区域外延地形成，并设置在所述晶体介电区域上。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||