发明名称 |
磁记录介质、磁记录介质的制造方法以及磁记录再生装置 |
摘要 |
一种磁记录介质(50),是在非磁性基板(1)之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层(9)、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层(4)的磁记录介质(50),取向控制层(9)具备:包含Ru或Ru合金的含Ru层(3);和设置于含Ru层(3)的垂直磁性层(4)侧,包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料,防止含Ru层(3)的Ru原子的热扩散的防止扩散层(8),垂直磁性层(4)包含通过防止扩散层(8)继承含Ru层(3)的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。 |
申请公布号 |
CN103730135B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201310467368.4 |
申请日期 |
2013.10.09 |
申请人 |
昭和电工株式会社;株式会社 东芝;国立大学法人东北大学 |
发明人 |
柴田寿人;井上健;岡田翼;黑川刚平;斋藤伸;日向慎太朗;高桥研;前田知幸;矶胁洋介;喜喜津哲 |
分类号 |
G11B5/667(2006.01)I;G11B5/84(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/667(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;杨光军 |
主权项 |
一种磁记录介质,其特征在于,是在非磁性基板之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层的磁记录介质,所述取向控制层具备含Ru层和防止扩散层,所述含Ru层包含Ru或Ru合金,所述防止扩散层设置于所述含Ru层的所述垂直磁性层侧,包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料,防止所述含Ru层的Ru原子的热扩散,所述垂直磁性层包含介由所述防止扩散层继承所述含Ru层的晶粒的晶体结构、并与所述晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体,在所述含Ru层的所述非磁性基板侧设有第2防止扩散层,所述第2防止扩散层包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料,防止所述含Ru层的Ru原子的热扩散,在所述第2防止扩散层的所述非磁性基板侧设有软磁性基底层。 |
地址 |
日本东京都 |