发明名称 |
磁性结及其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器 |
摘要 |
本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面,绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。 |
申请公布号 |
CN103178205B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201210560542.5 |
申请日期 |
2012.12.20 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
X.唐;D.阿帕阔;S.M.瓦特斯;K.穆恩;V.尼基丁 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
弋桂芬 |
主权项 |
一种磁性结,具有磁电阻区域并用于在磁器件中使用,包括:被钉扎层;非磁间隔层;自由层,所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间,所述磁电阻区域的至少一部分由所述被钉扎层、所述自由层以及在所述被钉扎层与所述自由层之间的至少一个层形成;至少一个绝缘层,与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻,使得所述自由层和所述被钉扎层中的所述至少一个在所述至少一个绝缘层和所述非磁间隔层之间,所述至少一个绝缘层在所述磁电阻区域外部;及至少一个磁插入层,邻接所述至少一个绝缘层,所述至少一个磁插入层在所述磁电阻区域外部,其中所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时,所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。 |
地址 |
韩国京畿道 |