一种GaN基LED外延结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，该GaN基LED外延结构依次包括：衬底；GaN成核层；超晶格缓冲层；非掺杂GaN层；N型GaN层；多量子阱发光层；P型GaN层，其中，超晶格缓冲层为由若干对AlGaN缓冲层/AlN缓冲层/GaN缓冲层交替堆叠组成的超晶格结构。本发明可缓解蓝宝石衬底和GaN晶格不匹配造成的晶格失配问题，大大降低外延片在整个高温生长过程中的翘曲，提升外延片波长集中性及良率，同时有效提升GaN晶格质量，减少晶格位错密度，使器件光电特性更为稳定。

主权项

一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述GaN基LED外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的GaN成核层；位于GaN成核层上的超晶格缓冲层，所述超晶格缓冲层为由若干对AlGaN缓冲层/AlN缓冲层/GaN缓冲层交替堆叠组成的超晶格结构，所述超晶格缓冲层中，AlGaN缓冲层的总厚度为5nm～25nm，AlN缓冲层的总厚度为1nm～5nm，GaN缓冲层的总厚度为2nm～15nm；位于超晶格缓冲层上的非掺杂GaN层；位于非掺杂GaN层上的N型GaN层；位于N型GaN层上的多量子阱发光层；位于多量子阱发光层上方的P型GaN层。