发明名称 一种多孔硅纳米线NO<sub>2</sub>气体传感器的制备方法
摘要 本发明公开了属于气体传感器技术领域的一种多孔硅纳米线NO<sub>2</sub>气体传感器的制备方法。该方法首先利用金属银催化化学腐蚀,在硅片表面制备出多孔硅纳米线,再通过金属盐溶液浸泡或者磁控溅射的方法,在多孔硅纳米线表面修饰一层Ag纳米颗粒,得到的薄膜样品接上Ag电极和Ag导线后,可作为检测NO<sub>2</sub>气体的气敏传感器。在一定的电压下,当气体环境中通入NO<sub>2</sub>时,传感器的电阻值明显下降;去除NO<sub>2</sub>气体重新通入空气后,传感器的电阻值可以回升。本方法制备的NO<sub>2</sub>气敏传感器具有灵敏度高,成本低,环境稳定性好的特点,在NO<sub>2</sub>气体中器件的电阻值变化可达30%以上,具有实际应用的价值。
申请公布号 CN104502422B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201410806212.9 申请日期 2014.12.19
申请人 清华大学 发明人 李正操;廖杰;吕沙沙
分类号 G01N27/12(2006.01)I 主分类号 G01N27/12(2006.01)I
代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人 陈波
主权项 一种多孔硅纳米线NO<sub>2</sub>气体传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配制HF和AgNO<sub>3</sub>的混合溶液,其中HF浓度为3~6M,AgNO<sub>3</sub>浓度3~8mM,在磁力搅拌的同时将硅片浸入其中,保持50~80s,使其表面沉积一层均匀的Ag颗粒;(2)配制HF和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的混合溶液,其中HF浓度为3~6M,H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>浓度为0.1~1M,在20~60℃的恒温水浴下将镀Ag后的硅片放入其中腐蚀10~40min;(3)配制浓HNO<sub>3</sub>和去离子水体积比1:1的溶液,去除样品表面残余的Ag颗粒;(4)配制10~40mM的AgNO<sub>3</sub>溶液,将上述处理后的样品放在其中浸泡3~5min,使其表面沉积一层Ag纳米颗粒;或(5)用磁控溅射方法替代(4),将(1)~(3)处理后的样品放入FJL‑5600型离子束表面处理与附着模拟装置内,固定电压为0.4kV,电流为100mA,磁控溅射30~60s,使其表面沉积一层Ag纳米颗粒;(6)在(4)或(5)处理后的样品表面刷上一层银电极,并引出两根银导线,得到多孔硅纳米线NO<sub>2</sub>气体传感器。
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