发明名称 |
切割带集成晶片背面保护膜 |
摘要 |
本发明提供切割带集成晶片背面保护膜,其包括:切割带,所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层;和晶片背面保护膜,所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上,其中所述晶片背面保护膜是有色的。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。 |
申请公布号 |
CN104103565B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201410351062.7 |
申请日期 |
2010.01.29 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
高本尚英;松村健 |
分类号 |
H01L21/68(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/68(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种切割带集成晶片背面保护膜,其包括:切割带,所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层;和晶片背面保护膜,所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上,其中所述晶片背面保护膜是有色的,所述晶片背面保护膜在温度85℃和湿度85%RH的气氛下静置168小时时的吸湿度为1重量%以下。 |
地址 |
日本大阪府 |