光电转换装置

摘要

本发明提供一种窗层中的光吸收损失少且电特性良好的光电转换装置。形成一种光电转换装置，该光电转换装置在一对电极之间包括：将具有一导电型的透光半导体层用作窗层，具有用来形成p‑n结的导电型的硅半导体衬底或具有用来形成p‑i‑n结的导电型的硅半导体层。作为该透光半导体层，可以使用以属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。

主权项

一种光电转换装置，包括：具有p型导电型或n型导电型的硅衬底；形成在所述硅衬底的表面上的透光半导体层，该透光半导体层具有与所述硅衬底相反的导电型；形成在所述透光半导体层上的透光导电膜；形成在所述透光导电膜上的第一电极；以及形成在所述硅衬底的背面上的第二电极，其中，所述透光半导体层使用作为主要成分包含属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物的无机化合物形成。