一种非对称栅MOS器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的栅极进行离子注入掺杂，使所述栅极的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化，该方法简单方便。

主权项

一种用于制备非对称栅MOS器件的制备方法，所述非对称栅MOS器件的栅极为金属栅，所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，其中，所述金属栅为金属半导体化合物纳米线；并且，所述MOS器件包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底上的栅氧化层以及形成于所述栅氧化层上的栅极，形成于所述栅极两侧的所述半导体衬底内源漏区，所述栅极的两侧形成有侧墙；其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上制备栅氧化层；在所述栅氧化层上制备栅极，并对所述栅极进行离子注入掺杂，使所述栅极两侧的功函数不同；在所述栅极的两侧形成侧墙；进行源漏注入，在所述半导体衬底内形成源漏区；其中，在所述栅氧化层上制备栅极具体包括如下步骤：在所述栅氧化层上依次形成多晶半导体层以及绝缘层；依次对所述绝缘层以及所述多晶半导体层进行刻蚀，去掉两侧的绝缘层以及多晶半导体层；在所述多晶半导体层两侧的侧壁上沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层扩散；去除所述多晶半导体层侧壁表面剩余的金属薄膜；对所述多晶半导体层进行退火，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线；去除所述绝缘层及所述多晶半导体层；以所述金属半导体化合物纳米线为掩模，对所述栅氧化层进行刻蚀；以及对所述金属半导体化合物纳米线进行离子注入掺杂，使所述金属半导体化合物纳米线两侧的功函数不同。