半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种结构及其形成方法。氧化锰层沉积在包括至少一个电介质材料层的基板上作为硬掩膜层。可选的氧化硅层可形成在氧化锰层上方。可采用图案化光致抗蚀剂层蚀刻可选的氧化硅层和氧化锰层。采用各向异性蚀刻工艺蚀刻基板内的电介质材料层。电介质材料层可包括氧化硅和/或氮化硅，并且氧化锰层可用作最小化硬掩膜腐蚀以及蚀刻沟槽的宽化的有效蚀刻掩模。氧化锰层可用作基板接合工艺的蚀刻掩模。

主权项

一种半导体结构，包括：氧化锰层，设置在半导体基板上；至少一个电介质材料层，位于所述半导体基板的相对于所述氧化锰层的相反侧；以及沟槽，延伸穿过所述氧化锰层中的开口且穿过所述半导体基板进入所述至少一个电介质材料层中，其中所述开口的外围与所述沟槽在所述半导体基板中的部分的侧壁的外围在竖直方向上是一致的。