半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中，在第1基板的一方的主面上设置第1粘接剂层。经由第2粘接剂层贴合第1基板和第2基板，对于第2粘接剂层，具有热硬化性，与贴合在第1基板的第2基板及第1基板之间的粘附力比与第1粘接剂层间的粘附力大，以及覆盖第1粘接剂层的表面。研磨第1基板的另一方的主面，薄化第1基板。向第2粘接剂层的周边部施加物理的力，形成沿着第2粘接剂层的外周的环状的切口部。在第1粘接剂和第2粘接剂的界面分离第1基板和第2基板。切口部形成为，外周位于比第2粘接剂层的外周更靠内侧，内周比第1粘接剂层的外周更靠内侧，并且，在与第2基板间留下第2粘接剂层。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在第1基板的一方的主面上设置第1粘接剂层；经由第2粘接剂层贴合上述第1基板和第2基板，其中，上述第2粘接剂层，具有热硬化性，与贴合在上述第1基板的上述第2基板及上述第1基板之间的粘附力比与上述第1粘接剂层间的粘附力大，并覆盖上述第1粘接剂层的表面；研磨上述第1基板的另一方的主面，薄化该第1基板；向上述第2粘接剂层的周边部施加物理的力，形成沿着该第2粘接剂层的外周的环状的切口部；固定上述第1基板侧，使上述第1粘接剂层和上述第2粘接剂层的界面剥离，从上述第1基板分离上述第2基板；其中，上述切口部形成为，外周位于比上述第2粘接剂层的外周更靠内侧且内周位于比上述第1粘接剂层的外周更靠内侧，并且，在与上述第2基板间留下上述第2粘接剂层。