发明名称 一种基于径向结叠层结构的三原色光电探测方法
摘要 本发明公开了一种用于三原色光电探测的径向结叠层结构,在竖直硅纳米线表面覆盖生长多层不同掺杂类型的非晶硅,形成两层由内而外的PIN结构;并在两层结构之间淀积一层ITO透明导电膜以探测内外两层的光电探测响应电流;基于得到的径向结结构的腔体模式耦合特性,外层PIN结构的本征非晶硅作为吸收层对短波段(偏蓝)的入射光有较强响应;内层PIN结构的本征非晶硅对长波段(偏红)的光有较强响应;当内外两层串联时,光响应波段是两者的交集部分,实现对可见光波段内三原色的分别探测;而且该探测技术利用的是两层p‑i‑n结构对不同波段的响应差。该径向结叠层结构用于视网膜三原色的光电探测技术在节约材料,缩减工艺,降低电压,提高灵敏度,以及工作稳定性等方面展示出了极大的优势。
申请公布号 CN104900746B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201510246893.2 申请日期 2015.05.14
申请人 南京大学 发明人 余林蔚;钱晟一;于忠卫;陆嘉文;朱光耀
分类号 H01L31/105(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/105(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 陈建和
主权项 一种用于三原色光电探测的径向结叠层结构,其特征在于:在竖直硅纳米线表面覆盖生长多层不同掺杂类型的非晶硅,形成两层由内而外的 PIN 结构;并在两层结构之间淀积一层 ITO 透明导电膜以探测内外两层的光电探测响应电流;所述竖直硅纳米线是P型掺杂的竖直硅纳米线构成三维支架,并包覆多层不同掺杂类型的非晶硅构成叠层 PIN 结构。
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