用于集成电路设计的间隔蚀刻工艺

摘要

一种形成目标图案的方法，该方法包括：在衬底上形成第一材料层；使用第一布局实施第一图案化工艺以在第一材料层中形成多个第一沟槽；使用第二布局实施第二图案化工艺以在第一材料层中形成多个第二沟槽；在多个第一沟槽和多个第二沟槽的侧壁上均形成间隔部件，间隔部件具有厚度；去除第一材料层；将间隔部件用作蚀刻掩模以蚀刻衬底；以及去除间隔部件。从而形成具有第一布局和第二布局的目标图案。本发明还提供了用于集成电路设计的间隔蚀刻工艺。

主权项

一种形成用于集成电路的目标图案的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一材料层；使用第一布局实施第一图案化工艺以在所述第一材料层中形成多个第一沟槽；使用第二布局实施第二图案化工艺以在所述第一材料层中形成多个第二沟槽；在所述多个第一沟槽和所述多个第二沟槽的侧壁上均形成间隔部件，所述间隔部件具有厚度，其中，形成所述间隔部件的步骤产生用于所述目标图案的剪切部件，其中，部分沟槽的宽度小于所述间隔部件的厚度的两倍；去除所述第一材料层；将所述间隔部件用作蚀刻掩模以蚀刻所述衬底；以及去除所述间隔部件；其中，所述目标图案形成为具有所述第一布局和所述第二布局。