用于非易失性半导体存储元件的编程方法

摘要

本发明揭示一种用于非易失性半导体存储元件的编程方法。其是用于一半导体存储元件的自我更新方法，包含以下步骤：在所述存储单元中依序执行多次除以2的运作，在所述除以2的运作完成后从所述存储单元中产生多个逐步减少的群组，在每次除以2的运作完成后对所产生的该逐步减少的群组中的存储单元进行编程，在执行最后一次除以2的运作后产生一最终群组，编程该最终群组中的多个存储单元，以及验证该最终群组中的所述存储单元是否已均被编程。

主权项

一种编程一非易失性半导体存储元件中的多个存储单元的方法，包含以下步骤：在所述存储单元中对所述存储单元的数目依序执行多次除以2的运作；在所述除以2的运作完成后从所述存储单元中产生所述存储单元的数目依序除以2的数目的多个数目逐步减少的群组；在每次除以2的运作完成后对所产生的所述存储单元的数目依序除以2的数目的该数目逐步减少的群组中的存储单元进行编程；在执行最后一次除以2的运作后产生一最终群组；编程该最终群组中的多个存储单元；以及验证该最终群组中的所述存储单元是否已均被编程；其中，该最终群组中的所述存储单元由该非易失性半导体存储中的所有存储单元所组成，且该验证步骤仅在该编程该最终群组中的所述存储单元的步骤后执行。