| 发明名称 | 基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、钝化层(9)和保护层(13)；源极与漏极之间的势垒层内刻有栅槽(7)，栅槽(7)内淀积有栅极(8)，栅极与漏极之间的钝化层(9)内刻有凹槽(10)，凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11)，钝化层(9)与保护层(13)之间淀积有源场板(12)，该源场板与源极电气连接，源场板(12)与高介电常数介质(11)构成复合源场板。本发明具有制作工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104393035B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201410658333.3 | 申请日期 | 2014.11.18 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 毛维;佘伟波;李洋洋;杨;杜鸣;郝跃 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/80(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 一种基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(9)和保护层(13)，势垒层(3)的上面淀积有源极(4)与漏极(5)，势垒层(3)的侧面刻有台面(6)，且台面深度大于势垒层的厚度，在源极与漏极之间的势垒层内刻有栅槽(7)，在栅槽(7)内淀积有栅极(8)，其特征在于：钝化层(9)内刻有凹槽(10)，凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11)；钝化层(9)与保护层(13)之间淀积有源场板(12)，该源场板(12)与源极(4)电气连接，且源场板(12)与高介电常数介质(11)构成复合源场板结构；凹槽(10)靠近栅极一侧边缘与栅极(8)靠近漏极一侧边缘之间的距离a为s×(d+s×ε<sub>1</sub>/ε<sub>2</sub>)<sup>0.5</sup>，其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与势垒层之间的距离，ε<sub>1</sub>为钝化层的相对介电常数，ε<sub>2</sub>为高介电常数介质的相对介电常数。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||