基于补偿结构的超结结构半导体器件

摘要

本发明公开了一种形成于超结结构器件中半导体部分中的超结结构。该超结结构包括具有第一导电型的第一补偿层和具有互补的第二导电型的第二补偿层的补偿结构。该补偿结构对补偿沟槽的至少侧壁部分加衬，补偿沟槽沿垂直于该半导体部分的第一表面的垂直方向延伸。在该超结结构和邻接该超结结构的基座层中，横向补偿率的符号沿该垂直方向变化导致局部垂直电场梯度峰值并从而改进雪崩强度。

主权项

一种超结半导体器件，包括：超结结构，其形成于半导体部分中，其中所述超结结构包括补偿结构，所述补偿结构包括第一导电型的第一补偿层和互补的第二导电型的第二补偿层，所述补偿结构对补偿沟槽的至少侧壁部分加衬，所述补偿沟槽沿垂直于所述半导体部分的第一表面的垂直方向在半导体台面之间延伸，其中(i)在所述超结结构的、定向至所述第一表面的第一部分中，所述第二补偿层包括第一子层和第二子层，并且在定向至所述半导体的、平行于所述第一表面的第二表面的第二部分中，所述第二补偿层只包括所述第一子层，或(ii)所述补偿结构包括位于所述第二部分中的所述第一导电类型的半导体插头；以及横向补偿率的符号沿所述超结结构内的所述垂直方向各自地变化。