| 发明名称 | 高裸芯片强度的半导体晶圆加工方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明描述了用于加工半导体晶圆的方法和系统的实施例。在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。在本发明中还描述了其他实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN103887156B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201310705423.9 | 申请日期 | 2013.12.19 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 萨沙·默勒;哈特莫特·布宁;马丁·拉普克;古伊多·阿尔贝曼;托马斯·罗勒德 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 杨静 |
| 主权项 | 一种用于加工半导体晶圆的方法，其特征在于，包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，并在半导体晶圆中扩展裂缝；在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层；以及在清洁半导体晶圆之后利用扩张使裂缝被用来将半导体晶圆分割成单个裸芯片。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||