形成掩埋位线的方法、具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：刻蚀半导体衬底并且形成被多个沟槽彼此分开的多个本体；形成具有开口部的保护层以使本体中的每个的两个侧壁暴露出来；通过使本体经由开口部所暴露出的部分硅化来形成掩埋位线；以及形成电介质层以间隙填充沟槽并且限定相邻的掩埋位线之间的空气间隙。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：刻蚀半导体衬底并且形成被多个沟槽彼此分开的多个本体；形成具有开口部的保护层，以使所述本体中的每个的两个侧壁暴露出来；通过将所述本体经由所述开口部所暴露出的部分硅化，来在所述本体中形成掩埋位线；以及形成电介质层以间隙填充所述沟槽并且限定相邻的掩埋位线之间的空气间隙；其中，形成具有所述开口部的所述保护层的步骤包括以下步骤：在包括所述本体的经刻蚀的半导体衬底的整个表面上形成第一保护层；在所述第一保护层上形成第二保护层；在所述第二保护层上形成第一牺牲层以间隙填充所述沟槽；部分地刻蚀所述第一牺牲层与所述第二保护层；在凹陷的所述第二保护层与凹陷的所述第一牺牲层上形成第二牺牲层以间隙填充所述沟槽；部分地刻蚀所述第二牺牲层；形成第三保护层作为间隔件以覆盖被经部分刻蚀的所述第二保护层暴露出的所述第一保护层；通过选择性地去除经部分刻蚀的第一牺牲层与第二牺牲层来形成初步开口部；以及选择性地去除被初步开口部暴露出的所述第一保护层。