| 发明名称 | 磁芯及其形成方法，以及包括该磁芯的集成电路、衬底、变压器和电感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁芯及其形成方法，以及包括该磁芯的集成电路、衬底、变压器和电感器。提供一种用于集成电路的磁芯，所述磁芯包括：多个磁性功能材料层；多个第一绝缘材料层；和至少一个第二绝缘材料层；其中将所述第一绝缘材料层插在所述磁性功能材料层之间以形成所述磁芯的子区段，并且将所述至少一个第二绝缘材料层插在相邻子区段之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103681633B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201310396059.2 | 申请日期 | 2013.09.04 |
| 申请人 | 亚德诺半导体集团 | 发明人 | M·N·莫里塞;J·库比克;S·P·吉尔里;P·M·迈克古尼斯;C·M·奥苏里万 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I;H01F17/04(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种在衬底上形成的用于集成电路的磁芯，所述磁芯包括：多个磁性功能材料层；多个第一绝缘层；以及至少一个第二绝缘层；其中将所述第一绝缘层插在所述磁性功能材料层之间以形成所述磁芯的子区段，并且将所述至少一个第二绝缘层插在所述磁芯的相邻子区段之间。 | ||
| 地址 | 百慕大群岛(英)哈密尔顿 | ||