发明名称 实现PoP互连的阵列式焊球排布的封装结构及其制作方法
摘要 本发明提供了一组实现PoP(Package on Package)互连的阵列式焊球排布的封装结构及其制作方法,将PoP Interface互连焊球从四周式排布转变为阵列式排布。通过阵列排布互连焊球,可以使上层封装体的焊球分布也变更为阵列形式,可有效增加封装体I/O的数目。阵列式排布焊球方案有效增大了PoP互连空间,降低了上下封装体回流互连时因凸点变形及位置移动产生短路风险;同时,阵列式焊球排布也较容易实现细间距互连凸点方案。
申请公布号 CN104465611B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201410755941.6 申请日期 2014.12.10
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 汪民
分类号 H01L23/528(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/528(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 殷红梅;韩凤
主权项 实现PoP互连的阵列式焊球排布的封装结构的制作方法,其特征是,包括以下步骤:(1)在基板(1)焊盘区域制作柱状导电凸点(3);(2)实现焊球从四周排布到阵列排布的转接体制备:(2.1)在绝缘基体(4)上表面通过激光打孔或刻蚀的方法形成若干个小孔(5),孔(5)的分布相应于步骤(1)基板(1)上导电凸点(3)位置,孔(5)的大小大于导电凸点(3)顶部;在绝缘基体(4)的下表面通过刻蚀或机械打孔方法制作凹槽(6);(2.2)在绝缘基体(4)上表面的孔(5)中进行导电材料(7)填充,填充完成后,在导电材料(7)填充体下方位置采用激光打孔方法制备通孔(8),在通孔(8)靠近导电材料(7)填充体部位电镀或溅射方式增加填充一层焊料(9);(2.3)在绝缘基体(4)上表面压合或电镀金属导电层(10);(2.4)采用基板图形化工艺进行电路刻蚀后得到阵列式排布的焊盘(11),每个焊盘(11)对应连通下层的导电材料(7)填充体,形成焊盘再布局层;(2.5)在焊盘再布局层表面涂覆保护层(12),同时在对应焊盘(11)的位置通过显影及刻蚀方法做出相应开口使焊盘(11)露出;(3)完成封装体的组装:(3.1)在基板(1)上贴装芯片(13);(3.2)将基板(1)与步骤(2)制作的转接体对应的单元进行对准后实现互连,基板(1)的导电凸点(3)对应插入绝缘基体(4)的通孔(8),基板(1)与绝缘基体(4)底面贴合,芯片(13)位于绝缘基体(4)凹槽(6)和基板(1)形成的腔体内,使用通孔(8)中的焊料(9)并进行回流实现牢靠的互连;(3.3)通过塑封工艺完成整个封装体的塑封,再通过封装体底面植球工艺,完成整个封装体底面的焊球(15)制作;(4)将完成组装的封装体进行PoP互连,上、下封装体通过上层封装体底部焊球(15)及底层封装体转接体上的预留焊盘(11)实现互连。
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