半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气体的工序(ST2)；和(b)将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到处理容器(12)内，激发该第二气体的工序(ST3)，进行分别包含激发第一气体的工序(ST2)和激发第二气体的工序(ST3)的多个循环。

主权项

一种半导体器件的制造方法，用于在等离子体处理装置的处理容器内，隔着掩模对包含具有相互不同的介电常数且交替层叠的第一膜和第二膜的多层膜进行蚀刻，所述半导体器件的制造方法的特征在于，包括：将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到所述处理容器内，激发该第一气体的工序；和将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到所述处理容器内，激发该第二气体的工序，进行分别包含所述激发第一气体的工序和所述激发第二气体的工序的多个循环。