发明名称 |
谐振传感器、其制造方法以及用于谐振传感器的多层结构 |
摘要 |
本发明提供了一种谐振传感器、其制造方法以及一种用于谐振传感器的多层结构。该谐振传感器包括:单晶硅衬底;单晶硅谐振器,其设置在单晶硅衬底上方;由硅制成的壳体,其带间隙地围绕谐振器,并且与单晶硅衬底一起形成腔室;激励模块,其被配置为激发谐振器;振动检测模块,其被配置为检测谐振器的振动;第一层,其设置在腔室上方,该第一层具有通孔;第二层,其设置在第一层上方;第三层,其覆盖第一层和第二层;以及从第二层朝向谐振器延伸的突起,该突起在空间上与谐振器分离,该突起与第一层隔开第一间隙,第二层与第一层隔开第二间隙,第一间隙与第二间隙连通。 |
申请公布号 |
CN104344917B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201410349914.9 |
申请日期 |
2014.07.22 |
申请人 |
横河电机株式会社 |
发明人 |
吉田隆司;奥田修史;岩井滋人 |
分类号 |
G01L1/10(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
陈源;李铭 |
主权项 |
一种谐振传感器,包括:单晶硅衬底;单晶硅谐振器,其设置在所述单晶硅衬底的上方;由硅制成的壳体,其带间隙地围绕所述谐振器,并且与所述单晶硅衬底一起形成腔室;激励模块,其被配置为激发所述谐振器;振动检测模块,其被配置为检测所述谐振器的振动;第一层,其设置在所述腔室的上方,所述第一层具有通孔;第二层,其设置在所述第一层的上方;第三层,其覆盖所述第一层和所述第二层;突起,其从所述第二层朝向所述谐振器延伸,所述突起在空间上与所述谐振器分离,所述突起与所述第一层隔开第一间隙,所述第二层与所述第一层隔开第二间隙,所述第一间隙与所述第二间隙连通;以及非空隔离物,其形成所述第二间隙,所述非空隔离物与所述第二层集成为一体。 |
地址 |
日本东京 |