存储器结构

摘要

本发明公开了一种存储器结构。此种存储器结构包括一第一芯片。第一芯片具有一阵列区及一周边区。第一芯片包括一第一叠层及多个贯穿结构。第一叠层设置在周边区中。第一叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。贯穿结构分别包括一开口、一介电层及一通道材料。开口穿过第一叠层。介电层设置在开口的一侧壁上。通道材料设置在开口中，并覆盖介电层。

主权项

一种存储器结构，包括：一第一芯片，具有一阵列区及一周边区，该第一芯片包括：一第一叠层，设置在该周边区中，该第一叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；以及多个贯穿结构，分别包括：一开口，穿过该第一叠层；一介电层，设置在该开口的一侧壁上；及一通道材料，设置在该开口中，并覆盖该介电层。