发明名称 |
用于离子植入机中的静电透镜的抑制电极 |
摘要 |
本实用新型提供一种用于离子植入机中的静电透镜的抑制电极。抑制电极具有第一和第二表面及抑制电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束,第一和第二表面在y‑z平面中是弯曲的,抑制电极开口在顶端和底端处的宽度大于抑制电极开口在中心部分处的宽度,抑制电极开口在顶端处的宽度等于抑制电极开口在底端处的宽度;抑制电极开口具有沿着y轴测量的开口高度,抑制电极的第一表面具有从沿着正z轴的点测量的第一曲率半径,抑制电极的第二表面具有从沿着负z轴的点测量的第二曲率半径,负z轴是在离子束行进的相反方向上从抑制电极的中心测量的,第一曲率半径等于第二曲率半径。静电透镜通过调节抑制电极可以获得多种不同射束形状。 |
申请公布号 |
CN206098341U |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201621048406.8 |
申请日期 |
2016.09.09 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
W·戴维斯·李 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I;H01J37/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
杨贝贝;臧建明 |
主权项 |
一种用于离子植入机中的静电透镜的抑制电极,其特征在于,包括:抑制电极,其具有第一表面和第二表面以及抑制电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束,所述第一表面和所述第二表面在y‑z平面中是弯曲的,其中y轴在垂直方向上取向,其中所述抑制电极开口具有顶端、底端和中心部分,并且在所述顶端和所述底端处的所述抑制电极开口的宽度大于在所述中心部分处的所述抑制电极开口的宽度,并且在所述顶端处的所述抑制电极开口的所述宽度等于在所述底端处的所述抑制电极开口的所述宽度;其中所述抑制电极开口具有沿着所述y轴测量的开口高度,其中所述抑制电极的所述第一表面具有从沿着正z轴的点测量的第一曲率半径,其中所述正z轴是从所述离子束行进的所述抑制电极的中心测量的,并且其中所述抑制电极的所述第二表面具有从沿着负z轴的点测量的第二曲率半径,其中所述负z轴是在所述离子束行进的相反方向上从所述抑制电极的中心测量的,并且其中所述第一曲率半径等于所述第二曲率半径。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |