基板处理装置

摘要

本发明提供基板处理装置。该基板处理装置具有：用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与下部电极相连接的高频电源；上部电极与下部电极之间的处理空间；与上部电极电连接的接地构件，上部电极与下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，并且，在上部电极的至少一部分中埋入有电介质，在处理空间中产生的等离子体与接地构件之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，上部电极与下部电极之间的间隔能够改变，电介质的厚度是根据蚀刻率相对于上部电极和下部电极之间的间隔变化的依赖程度来设定的。

主权项

一种基板处理装置，其特征在于，具有：用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置上述基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与上述下部电极相连接的高频电源；上述上部电极与上述下部电极之间的处理空间；与上述上部电极电连接的接地构件，上述上部电极与上述下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，并且，在上述上部电极的至少一部分中埋入有电介质，在上述处理空间中产生的等离子体与上述接地构件之间的电位差分割为上述等离子体与上述电介质之间的电位差以及上述电介质与上述接地构件之间的电位差，上述上部电极与上述下部电极之间的间隔能够改变，上述电介质的厚度是根据上述基板的蚀刻率相对于上述上部电极和上述下部电极之间的间隔变化的依赖程度来设定的。