电子元器件的厚度测定方法、电子元器件卷盘及其制造方法、以及电子元器件的检查装置

摘要

本发明的电子元器件的厚度测定方法包括：在第1图像数据的多个第2基准线和第2图像数据的多个第2基准线中，仅提取出位于相同相同的位置且第2基准线彼此的强度峰值之差最小的第2基准线(210c)，并形成包括第1基准线(220c)和所提取出的第2基准线(210c)的第3图像数据(200c)的工序；以及根据第3图像数据(200c)的第1基准线(220c)和第2基准线(210c)之间的间隔(Lc)来计算出电子元器件的厚度的工序。

主权项

一种电子元器件的厚度测定方法，其特征在于，具有：对电子元器件及放置有该电子元器件的透明板，从斜上方照射第1电磁波的工序；接收所述第1电磁波的反射波，形成包括表示在所述电子元器件的上表面反射的反射波的强度峰值的第1基准线和表示在所述透明板反射的多个反射波的强度峰值的多个第2基准线的第1图像数据的工序；对所述电子元器件和所述透明板的与照射所述第1电磁波的位置大致相同的位置，以与所述第1电磁波相同的角度从斜上方照射与所述第1电磁波的偏振方向不同的第2电磁波的工序；接收所述第2电磁波的反射波，形成包括表示在所述电子元器件的上表面反射的反射波的强度峰值的第1基准线和表示在所述透明板反射的多个反射波的强度峰值的多个第2基准线的第2图像数据的工序；在所述第1图像数据的多个所述第2基准线和所述第2图像数据的多个所述第2基准线中，仅提取出位于相互相同的位置且所述第2基准线彼此的强度峰值之差最小的第2基准线，并形成包括所述第1图像数据的所述第1基准线和所提取出的所述第2基准线的第3图像数据的工序；以及根据所述第3图像数据的所述第1基准线和所述第2基准线之间的间隔，计算出所述电子元器件的厚度的工序。