发明名称 |
包含石墨烯基层的电子装置和/或其制造方法 |
摘要 |
本发明的特定示例实施例涉及石墨烯作为透明导电涂层(TCC)的使用。在特定的示例实施方式中,石墨烯薄膜比如,在催化剂薄膜上,从碳氢化合物气体(比如,CoH2,CH4,或类似的)异质外延地大面积增大。特定的示例实施方式的石墨烯薄膜可以是掺杂的或无掺杂的。在特定的示例实施方式中,石墨烯薄膜,一旦形成,可以从它们的载体基板剥离(lifted off)并转移到接收基板,例如,用于包含在中间或最终产品中。石墨烯以这种方式增大,剥离(lifted),和转移可以显示低片电阻(比如,低于150欧姆/平方且低于当掺杂时)和高透射值(比如,至少在可见的和红外光谱内)。 |
申请公布号 |
CN102656702B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201080035069.8 |
申请日期 |
2010.07.16 |
申请人 |
格尔德殿工业公司 |
发明人 |
维嘉恩·S.·维拉萨米 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01L51/44(2006.01)N |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
郝传鑫 |
主权项 |
一种太阳能电池,包括:玻璃基板;直接或间接地位于玻璃基板上的第一石墨烯基传导层;接触第一石墨烯基传导层的第一半导体层;直接或间接地位于第一半导体层上的至少一个吸收层;直接或间接地位于至少一个吸收层上的第二半导体层;接触第二半导体层的第二石墨烯基传导层,和直接或间接地位于第二石墨烯基传导层上的背接触体;其中,所述第一半导体层和所述第二半导体层是硅半导体层。 |
地址 |
美国密歇根州奥本希尔斯哈蒙路2300号 |