发明名称 |
一种增强光输出量的蓝宝石衬底 |
摘要 |
本实用新型公开了一种增强光输出量的蓝宝石衬底,包括蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底的底部设置有基底,所述基底的底部设置有镀银反光涂层,所述蓝宝石衬底的顶部设置有微纳米图形,所述微纳米图形的顶部设置有GaN结晶生长层,所述GaN结晶生长层的顶部设置有凸块,且相邻的两凸块之间设置有稀土蓄光块,所述凸块的顶部与稀土蓄光块的顶部设置有荧光玻璃层。该增强光输出量的蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底的表面采用微纳米图形,实现了微纳米结构的图形化蓝宝石衬底,可有效的增加芯片的正面出光,减少蓝宝石对LED芯片光的吸收,增强LED灯的发光效率,该增强光输出量的蓝宝石衬底结构简单,增强光输出量的效果显著,值得推广。 |
申请公布号 |
CN206098438U |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201620966695.3 |
申请日期 |
2016.08.30 |
申请人 |
福建晶安光电有限公司 |
发明人 |
徐翊翔;李彬彬;林基明;徐光 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种增强光输出量的蓝宝石衬底,包括蓝宝石衬底(1),其特征在于:所述蓝宝石衬底(1)的底部设置有基底(2),所述基底(2)的底部设置有镀银反光涂层(3),所述蓝宝石衬底(1)的顶部设置有微纳米图形(7),所述微纳米图形(7)的顶部设置有GaN结晶生长层(8),所述GaN 结晶生长层(8)的顶部设置有凸块(10),且相邻的两凸块(10)之间设置有稀土蓄光块(9),所述凸块(10)的顶部与稀土蓄光块(9)的顶部设置有荧光玻璃层(12)。 |
地址 |
362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园 |