| 发明名称 |
相变存储单元的制备方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种相变存储单元的制备方法，包括：在一基底一表面设置至少一碳纳米管线，所述碳纳米管线的轴向平行于所述基底的表面；弯折所述至少一碳纳米管线，形成一弯折部；设置一第一电极、第二电极及一第三电极，所述第一电极、第二电极分别设置于所述弯折部的两侧且与所述碳纳米管线电连接，所述第三电极与所述碳纳米管线的弯折部间隔设置；以及沉积一相变层至少部分覆盖所述弯折部，并且与所述第三电极电连接。 |
| 申请公布号 |
CN104779346B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
| 申请号 |
CN201410016750.8 |
申请日期 |
2014.01.15 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
柳鹏;吴扬;李群庆;姜开利;王佳平;范守善 |
| 分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种相变存储单元的制备方法，包括：在一基底一表面设置一碳纳米管线，所述碳纳米管线的轴向平行于所述基底的表面；将所述碳纳米管线弯折形成一弯折部；设置一第一电极、第二电极及一第三电极，所述第一电极、第二电极分别与所述碳纳米管线的两端电连接，所述第三电极与所述碳纳米管线的弯折部间隔设置；以及沉积一相变层至少部分覆盖所述弯折部，并且与所述第三电极电连接。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
