发明名称 |
THz天线阵列的制作方法 |
摘要 |
一种THz天线阵列的制作方法,包括如下步骤:1)选择一衬底;2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料;3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层,刻蚀的形状为四边形结构,其为光混频器波导;4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极,在其两侧的光耦合层上制作电极;5)刻蚀光耦合层,刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导;6)刻蚀无源波导层至缓冲层,形成1×N分光器、输入波导及无源波导,形成基片;7)在基片上制作THz天线,完成制备。本发明可以得到高性能THz天线阵列器件。 |
申请公布号 |
CN104332718B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201410412325.0 |
申请日期 |
2014.08.20 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
梁松;朱洪亮 |
分类号 |
H01Q21/00(2006.01)I;G02B6/125(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q21/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种THz天线阵列的制作方法,包括如下步骤:1)选择一衬底;2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料;3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层,刻蚀的形状为四边形结构,其为光混频器波导;4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极,在其两侧的光耦合层上制作电极;5)刻蚀光耦合层,刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导;6)刻蚀无源波导层至缓冲层,形成1×N分光器、输入波导及无源波导,形成基片;7)在基片上制作THz天线,完成制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |