发明名称 |
EPROM单元 |
摘要 |
本发明涉及一种寄存器单元,所述寄存器单元包括:一个输出节点(OUT);至少两个电源节点(VP、GND);第一闪速晶体管(1201)和第二闪速晶体管(1202);其中所述寄存器单元被构造成,使得随着所述闪速晶体管中的至少一个中存储的值的变化,所述电源节点中的至少一个可驱动所述输出节点。本发明还涉及一种包括所述寄存器单元的FPGA。 |
申请公布号 |
CN104246893B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201380015607.0 |
申请日期 |
2013.02.11 |
申请人 |
索泰克公司 |
发明人 |
理查德·费朗 |
分类号 |
G11C16/04(2006.01)I;H03K19/177(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
吕俊刚;刘久亮 |
主权项 |
一种寄存器单元,所述寄存器单元包括:一个输出节点(OUT);至少两个电源节点(VP、GND);以及第一闪速晶体管(1201)和第二闪速晶体管(1202);其中所述第一闪速晶体管(1201)连接在第一电源节点(GND)和所述输出节点(OUT)之间,所述第二闪速晶体管(1202)连接在第二电源节点(VP)和所述输出节点(OUT)之间,所述第一闪速晶体管(1201)通过第一晶体管(1102)与所述第一电源节点(GND)分开并且通过第二晶体管(1101)与所述第二电源节点(VP)分开,所述第二闪速晶体管(1202)通过第三晶体管(1103)与所述第二电源节点(VP)分开;并且其中所述寄存器单元被构造成,使得随着所述闪速晶体管中的至少一个中存储的值的变化,所述电源节点中的至少一个能驱动所述输出节点,所述寄存器单元还被构造成,使得流进和/或流出所述输出节点的电流流过所述闪速晶体管中的至少一个,所述寄存器单元还被构造成,使得通过控制所述第一晶体管和/或所述第二晶体管和/或所述第三晶体管将所述闪速晶体管编程。 |
地址 |
法国伯尔宁 |