发明名称 | 光电转换设备以及光电转换设备的制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了光电转换设备以及光电转换设备的制造方法。示例性实施例为一种光电转换设备,其具有光电转换部和传送部。传送部传送光电转换部的电荷。光电转换部包括第一导电类型的第一和第二半导体区域。通过光电转换生成的电荷累积在第一和第二半导体区域中。根据示例性实施例的第一和第二半导体区域的结构或者它们的制造方法,可在提高光电转换部的灵敏性的同时提高电荷的传送效率。 | ||
申请公布号 | CN104241305B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
申请号 | CN201410263602.6 | 申请日期 | 2014.06.13 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 渡边高典;三木崇史;饭田聪子;小林昌弘;岩田旬史 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
主权项 | 一种光电转换设备,包括:半导体基板;设置在所述半导体基板中的包括第一导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的光电转换部;以及被配置用于传送第一半导体区域和第二半导体区域的电荷的传送部,其中,第一半导体区域包括具有与第一半导体区域的不同部分的杂质浓度相比较低的杂质浓度的部分,其中,该具有较低的杂质浓度的部分与所述第一半导体区域的所述不同部分沿平行于所述半导体基板的表面的第一方向布置,其中,第二半导体区域设置在该具有较低的杂质浓度的部分之下,所述第二半导体区域和该具有较低的杂质浓度的部分沿与所述表面垂直的第二方向布置,以及其中,第一半导体区域的沿第一方向的长度大于第二半导体区域的沿第一方向的长度,并且第二导电类型的半导体区域沿所述第一方向布置在所述第二半导体区域的侧面,并且沿所述第二方向布置在所述第一半导体区域的所述不同部分下面。 | ||
地址 | 日本东京 |